Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7309DN
- RS-artikelnummer:
- 165-2765
- Tillv. art.nr:
- SI7309DN-T1-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
10 935,00 kr
(exkl. moms)
13 668,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,645 kr | 10 935,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-2765
- Tillv. art.nr:
- SI7309DN-T1-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | Si7309DN | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.115Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 19.8W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.04mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21 | |
| Bredd | 3.05mm | |
| Längd | 3.05mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie Si7309DN | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.115Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 19.8W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.04mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21 | ||
Bredd 3.05mm | ||
Längd 3.05mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V till 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7309DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7615ADN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 111.9 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS61DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 108 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS05DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSH101DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 16.2 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS73DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET