Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 204 A 40 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
162-8551
Tillv. art.nr:
CSD18502Q5B
Tillverkare / varumärke:
Texas Instruments
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Texas Instruments

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

204A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

VSON

Serie

NexFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

3.2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.1mm

Höjd

1.05mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY

N-kanal NexFETTM effekt-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-transistorer, Texas Instruments


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.