onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

431,85 kr

(exkl. moms)

539,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 550 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 508,637 kr431,85 kr
100 +8,119 kr405,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
145-4534
Tillv. art.nr:
FQPF19N20C
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

19A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Serie

QFET

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

170mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

43W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

40.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.16mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.19mm

Fordonsstandard

Nej

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar