ROHM 2 N Kanal, SiC-effektmodul, 180 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, BSM

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

7 308,00 kr

(exkl. moms)

9 135,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 17 308,00 kr
2 - 47 115,70 kr
5 - 96 933,25 kr
10 +6 759,87 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
144-2259
Tillv. art.nr:
BSM180D12P3C007
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

SiC-effektmodul

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.2kV

Serie

BSM

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

880W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

45.6mm

Höjd

17mm

Längd

122mm

Antal element per chip

2

COO (ursprungsland):
JP

SiC Power Modules, ROHM


The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.