ROHM 2 N Kanal, SiC-effektmodul Förbättring, 4 Ben, BSM

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

7 308,00 kr

(exkl. moms)

9 135,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 17 308,00 kr
2 - 47 115,70 kr
5 - 96 933,25 kr
10 +6 759,87 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
144-2259
Tillv. art.nr:
BSM180D12P3C007
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

SiC-effektmodul

Kanaltyp

N

Serie

BSM

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

45.6mm

Höjd

17mm

Längd

122mm

Antal element per chip

2

COO (ursprungsland):
JP

SiC-effektmoduler, ROHM


Modulen består av en kiselkarbid (SiC) DMOS Power FET-enhet med en Schottky-barriärdiod (SBD) över avloppet och källan.

Halvbrokonfiguration

Låg överspänningsström

Lågeffektsomkopplingsförluster

Höghastighetsomkoppling

Låg driftstemperatur

MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Note

SiC-effektmodulen BSM180D12P2C101 innehåller inga Schottky-barriärdioder.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.