ROHM Halvbrygga N Kanal, SiC-effektmodul, 240 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, BSM

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

4 765,94 kr

(exkl. moms)

5 957,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 44 765,94 kr
5 - 94 642,06 kr
10 - 244 522,78 kr
25 +4 408,43 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
144-2257
Tillv. art.nr:
BSM120D12P2C005
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

SiC-effektmodul

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

240A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

BSM

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22V

Maximal effektförlust Pd

935W

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Halvbrygga

Bredd

45.6mm

Höjd

17mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

122mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
JP

SiC-effektmoduler, ROHM


Modulen består av en kiselkarbid (SiC) DMOS Power FET-enhet med en Schottky-barriärdiod (SBD) över avloppet och källan.

Halvbrokonfiguration

Låg överspänningsström

Lågeffektsomkopplingsförluster

Höghastighetsomkoppling

Låg driftstemperatur

MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Note

SiC-effektmodulen BSM180D12P2C101 innehåller inga Schottky-barriärdioder.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.