Microchip Halvbrygga N Kanal, SiC-effektmodul, 151 A 3.3 kV Förbättringsläge, mSiC
- RS-artikelnummer:
- 854-513
- Tillv. art.nr:
- MSCSM330AM15D3NG
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Denna bild representerar endast produktgruppen
Antal (1 enhet)*
5 167,79 kr
(exkl. moms)
6 459,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 5 167,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 854-513
- Tillv. art.nr:
- MSCSM330AM15D3NG
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | SiC-effektmodul | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 151A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 3.3kV | |
| Serie | mSiC | |
| Typ av fäste | Kylelement | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1013W | |
| Transistorkonfiguration | Halvbrygga | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp SiC-effektmodul | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 151A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 3.3kV | ||
Serie mSiC | ||
Typ av fäste Kylelement | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1013W | ||
Transistorkonfiguration Halvbrygga | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips strömförsörjningsmodul av kiselkarbid erbjuder en fasbenkonfiguration för att effektivt styra högspänningsapplikationer genom överlägsen effektivitet och tillförlitlighet.
Utformad med låg påslagningsresistans för effektiv drift vid höga temperaturer
Innehåller ett robust plasthölje för förbättrad krypning och avstånd
Har en Kelvin-källa för att förenkla grindstyrningen
Konstruerad med en kopparbasplatta för överlägsen värmehantering
Relaterade länkar
- Microchip Halvbrygga N Kanal, SiC-effektmodul, 151 A 3300 V Förbättringsläge, mSiC
- Microchip Halvbrygga N Kanal, SiC-effektmodul, 295 A 3300 V Förbättringsläge, mSiC
- ROHM Halvbrygga N Kanal, SiC-effektmodul, 240 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, BSM
- Microchip N Kanal, MOSFET, 27 A 3300 V, 4 Ben, TO-247-4L, mSiC
- ROHM 4:e generationens SiC MOSFET halvbrygga utvärderingskort SiC MOSFET till SiC MOSFET till Motor Drives
- Infineon EVAL1ED3145MC12HSICTOBO1 Drivning med halvbrygga till EVAL-1ED3145MC12H-SIC till 1ED3145MC12H
- Infineon EVAL1ED3144MC12HSICTOBO1 Drivning med halvbrygga till EVAL-1ED3144MC12H-SIC till 1ED3144MC12H
- Infineon EVAL1ED3142MC12HSICTOBO1 Drivning med halvbrygga till EVAL-1ED3142MC12H-SIC till 1ED3142MC12H
