Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, E
- RS-artikelnummer:
- 134-9709
- Tillv. art.nr:
- SIHP065N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 25,80 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
76,50 kr
(exkl. moms)
95,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 76,50 kr | - |
| 10 - 24 | 73,92 kr | 25,80 kr |
| 25 - 49 | 70,00 kr | 162,50 kr |
| 50 - 99 | 67,20 kr | 465,00 kr |
| 100 + | 63,28 kr | 1 322,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 134-9709
- Tillv. art.nr:
- SIHP065N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 49nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.51mm | |
| Höjd | 15.49mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie E | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.51mm | ||
Höjd 15.49mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, E-serien, låg meritfaktor, Vishay Semiconductor
Effekt-MOSFET:erna i E-serien från Vishay är högspänningstransistorer med ultralåg maximal påslagningsresistans, låg förtjänst och snabb omkoppling. De finns tillgängliga i ett brett utbud av strömklassningar. Typiska tillämpningar inkluderar servrar och telekomnätaggregat, LED-belysning, flyback-omvandlare, effektfaktorkorrigering (PFC) och switchade nätaggregat (SMPS).
Egenskaper
Låg meritfaktor (FOM) RDS(on) x Qg
Låg ingångskapacitans (Ciss)
Låg påslagningsresistans (RDS(on))
Ultralåg grindladdning (Qg)
Snabbväxlande
Minskade kopplings- och ledningsförluster
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 15 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 165.3 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E