ROHM N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, RYC002N05

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 500 enheter (levereras i en rulle)*

689,00 kr

(exkl. moms)

861,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
500 - 9001,378 kr
1000 - 49001,254 kr
5000 - 99001,081 kr
10000 +1,049 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
133-2856P
Tillv. art.nr:
RYC002N05T316
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

50V

Serie

RYC002N05

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

350mW

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

26nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.15mm

Bredd

1.5mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.1mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.