Infineon N Kanal, MOSFET, 290 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 124-9019
- Tillv. art.nr:
- IRFP4468PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 25 enheter)*
717,25 kr
(exkl. moms)
896,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 25 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 250 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 28,69 kr | 717,25 kr |
| 50 - 100 | 27,261 kr | 681,53 kr |
| 125 + | 26,11 kr | 652,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-9019
- Tillv. art.nr:
- IRFP4468PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 290A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 520W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 360nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Höjd | 20.7mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 290A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 520W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 360nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.31mm | ||
Höjd 20.7mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Motorstyrning och AC-DC synkron likriktare MOSFET, Infineon
MOSFET för motorstyrning
Infineon erbjuder en omfattande portfölj av robusta N-kanals och P-kanals MOSFET-enheter för motorstyrningsapplikationer.
MOSFET med synkron likriktare
En portfölj med MOSFET-enheter med synkron likriktning för AC-DC-strömförsörjning uppfyller kundernas krav på högre effekttäthet, mindre storlek, större bärbarhet och mer flexibla system.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 290 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 43 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 209 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET