Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SIPMOS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 189,45 kr

(exkl. moms)

1 486,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 650 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5023,789 kr1 189,45 kr
100 - 20019,506 kr975,30 kr
250 +18,319 kr915,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-8828
Tillv. art.nr:
SPP80P06PHXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-220

Serie

SIPMOS

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

23mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

115nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal effektförlust Pd

340W

Framåtriktad spänning Vf

-1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.57mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

15.95mm

Längd

10.36mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY

Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 80 A maximal kontinuerlig drain-ström – SPP80P06PHXKSA1


Denna MOSFET är en strömomkopplande enhet som är utformad för tillämpningar med hög ström och hög temperatur. Den fungerar som en p-kanalförstärkningstransistor i en TO-220-kapsel med genomgående hål och är lämplig för strömomvandling och omkopplingsuppgifter där robust termisk tolerans krävs. Komponenten stöder grindstyrd styrning för effektiv ledning och är avsedd för användning i system som kräver betydande kontinuerlig dräneringsström och förhöjda drifttemperaturer.

Funktioner och fördelar:


• 60 V avtappningsklassning möjliggör medelspänningsomkopplingsförmåga
• Kontinuerlig dräneringsström på 80 A stöder höga strömbelastningar
• Låg Rds(on) på 23 mΩ minimerar ledningsförluster
• 115 nC typisk grindladdning balanserar omkopplings- och drivenergi
• Maximal effektförlust på 340 W möjliggör betydande termisk belastning
• Vgs±20 V gate-tolerans möjliggör flexibla gate-drivmarginaler

Användningsområden


• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare i nätaggregat
• Används för synkron likriktering i serverförsörjningsskenor
• Idealisk för motorstyrningssteg som kräver P-kanalswitchning
• Kan användas för batteriskydd och lastomkopplarkretsar
• Lämplig för miljöer med värmebelastning upp till 175 °C

Vilket temperaturområde tål den i drift?


Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i högtemperatursystem.

Hur ska värmen hanteras när den körs nära maximal dissipation?


För att hantera 340 W-gränsen, anslut en lämplig kylfläns till TO-220-fliken och se till att luftflödet är tillräckligt för att minska kopplingstemperaturen.

Vilka grinddrivaröverväganden uppstår från grindladdningsvärdet?


Med en typisk grindladdning på 115 nC måste drivare leverera tillräcklig ström för önskad omkopplingshastighet samtidigt som de tar hänsyn till ökad drivenergi och potentiella omkopplingsförluster.

Hur påverkar enhetens polaritet valet av kretstopologi?


Som en P-kanalförstärkningsenhet används den vanligtvis på den höga sidan av effektbanor där grindspänningen kan dras lägre än källan för påslagning.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.