Infineon Typ P Kanal, Effekttransistor, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS P AEC-Q
- RS-artikelnummer:
- 124-8751
- Tillv. art.nr:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
9 933,00 kr
(exkl. moms)
12 416,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 9,933 kr | 9 933,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-8751
- Tillv. art.nr:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 180nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10mm | |
| Höjd | 4.4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 180nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10mm | ||
Höjd 4.4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q | ||
RoHS-status: Inte relevant
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOS™P P-kanaliga effekt-MOSFET:er
Anoden Infineon OptiMOS™ P-kanaliga effekt-MOSFET:er är konstruerade för att ge förbättrade funktioner med kvalitetsprestanda. Bland egenskaperna finns ultralåg switchförlust, on-state-resistans, lavinklassning samt AEC-kvalificering för lösningar inom fordonsindustrin. Applikationerna omfattar likström, motorstyrning, fordonsindustri och eMobility.
Förbättringsläge
Avalanche-klassad
Låga effektförluster vid växling och ledning
Pb-fri blyplätering; RoHS-kompatibel
Standardpaket
OptiMOS™ P-kanalsserie: Temperaturområde från -55°C till +175°C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, Effekttransistor, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS P AEC-Q
- Infineon Typ P Kanal, Effekttransistor, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P AEC-Q
- Infineon Typ P Kanal, Effekttransistor, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P AEC-Q
- Infineon Typ P Kanal, Effekttransistor, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS P AEC
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 50 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3