ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, RSJ250P10
- RS-artikelnummer:
- 124-6823
- Tillv. art.nr:
- RSJ250P10TL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
112,22 kr
(exkl. moms)
140,275 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 22,444 kr | 112,22 kr |
| 25 - 45 | 18,144 kr | 90,72 kr |
| 50 - 120 | 17,248 kr | 86,24 kr |
| 125 - 245 | 16,352 kr | 81,76 kr |
| 250 + | 14,516 kr | 72,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-6823
- Tillv. art.nr:
- RSJ250P10TL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | RSJ250P10 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 70mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Längd | 10.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie RSJ250P10 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.5mm | ||
Längd 10.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- KR
P-kanal MOSFET-transistorer, ROHM
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 98 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, RCJ331N25
