ROHM N Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002UN

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 750 enheter (levereras i en rulle)*

468,00 kr

(exkl. moms)

585,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 650 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
750 - 13500,624 kr
1500 - 36000,587 kr
3750 - 73500,573 kr
7500 +0,559 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
124-6784P
Tillv. art.nr:
RE1C002UNTCL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

RE1C002UN

Kapseltyp

SOT-416

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Maximal effektförlust Pd

150mW

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

1.7mm

Höjd

0.8mm

Bredd

0.96mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.