ROHM N Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002UN

Få en mängdrabatt

Lägg till 1500 till för att spara 55,50 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal 750 enheter (levereras i en rulle)*

468,00 kr

(exkl. moms)

585,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 650 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Besparing
750 - 13500,624 kr-
1500 - 36000,587 kr55,50 kr
3750 - 73500,573 kr191,25 kr
7500 +0,559 kr487,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
124-6784P
Tillv. art.nr:
RE1C002UNTCL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

RE1C002UN

Kapseltyp

SOT-416

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8V, +8V

Maximal effektförlust Pd

150mW

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

1.7mm

Bredd

960μm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

800μm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.