onsemi N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7000
- RS-artikelnummer:
- 124-1310
- Tillv. art.nr:
- 2N7000TA
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2000 enheter)*
2 270,00 kr
(exkl. moms)
2 838,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 4 000 enhet(er) levereras från den 05 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 4000 | 1,135 kr | 2 270,00 kr |
| 6000 + | 1,078 kr | 2 156,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-1310
- Tillv. art.nr:
- 2N7000TA
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | 2N7000 | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 880mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 400mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.2mm | |
| Höjd | 5.33mm | |
| Bredd | 4.19mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie 2N7000 | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 880mV | ||
Maximal effektförlust Pd 400mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.2mm | ||
Höjd 5.33mm | ||
Bredd 4.19mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7000
- Microchip N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7000
- onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 2N7000TA
- onsemi N Kanal, MOSFET, 500 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, BS170
- onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 92 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- onsemi N Kanal, Fälteffekttransistorer, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, BS270