DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 11 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 165-8326
- Tillv. art.nr:
- DMN1019USN-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 612,00 kr
(exkl. moms)
4 515,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,204 kr | 3 612,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-8326
- Tillv. art.nr:
- DMN1019USN-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | SC-59 | |
| Serie | DMN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8V, +8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50.6nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Längd | 3.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp SC-59 | ||
Serie DMN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8V, +8V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50.6nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.3mm | ||
Bredd 1.7mm | ||
Längd 3.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 11 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 5.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 230 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 380 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 70 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, BSS127 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 700 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMP AEC-Q101