DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 8.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN6068LK3 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 122-0221
- Tillv. art.nr:
- DMN6068LK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*
5 392,50 kr
(exkl. moms)
6 740,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 05 april 2027
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 2,157 kr | 5 392,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 122-0221
- Tillv. art.nr:
- DMN6068LK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | DMN6068LK3 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 8.49W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.15V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie DMN6068LK3 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 8.49W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.15V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.39mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 8.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN6068LK3 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 17.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 14.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN6040SK3 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 43 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
