DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN65D8L AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 121-9622
- Tillv. art.nr:
- DMN65D8L-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
969,00 kr
(exkl. moms)
1 212,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,323 kr | 969,00 kr |
| 9000 + | 0,306 kr | 918,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 121-9622
- Tillv. art.nr:
- DMN65D8L-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 310mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | DMN65D8L | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.87nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 540mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 310mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie DMN65D8L | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.87nC | ||
Maximal effektförlust Pd 540mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN65D8L AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 310 mA 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 90 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101