onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NTTFS5116PL
- RS-artikelnummer:
- 121-6310
- Tillv. art.nr:
- NTTFS5116PLTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1500 enheter, på en rulle med 1500)*
9 517,50 kr
(exkl. moms)
11 896,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 6,345 kr | 9 517,50 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i ett paket med 10)
87,47 kr
(exkl. moms)
109,34 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 121-6310
- Tillv. art.nr:
- NTTFS5116PLTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Serie | NTTFS5116PL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 72mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.15mm | |
| Höjd | 750μm | |
| Bredd | 3.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Serie NTTFS5116PL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 72mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.15mm | ||
Höjd 750μm | ||
Bredd 3.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
P-kanal effekt-MOSFET, 30 V till 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NTTFS5116PL
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 22 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 7.9 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 4.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS5124PL AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS5116PL AEC-Q101
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, WDFN, μCool
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench