Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, NX3008NBKW AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 136-4804
- Tillv. art.nr:
- NX3008NBKW,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 467,00 kr
(exkl. moms)
1 833,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,489 kr | 1 467,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 136-4804
- Tillv. art.nr:
- NX3008NBKW,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | NX3008NBKW | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.52nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 830mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.2mm | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie NX3008NBKW | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.52nC | ||
Maximal effektförlust Pd 830mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.2mm | ||
Bredd 1.35mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanalig MOSFET, upp till 30V
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, NX3008NBKW AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002BKW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002PW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS138BKW AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, NX3008PBKW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS138PW AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 150 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS84AKW AEC-Q101