Nexperia N Kanal, MOSFET, 360 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002P
- RS-artikelnummer:
- 103-8114
- Tillv. art.nr:
- 2N7002P,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
996,00 kr
(exkl. moms)
1 245,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 6 000 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 180 000 enhet(er) från den 24 september 2026
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 14 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,332 kr | 996,00 kr |
| 9000 + | 0,316 kr | 948,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-8114
- Tillv. art.nr:
- 2N7002P,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 360mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002P | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 420mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 360mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie 2N7002P | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 420mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 360 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002P
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 360 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138BK
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 360 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138P AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX7002AK
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV213SN
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV160UP
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV32UP