Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 201.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 735-264
- Tillv. art.nr:
- SIR5402DP-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Antal (1 enhet)*
20,94 kr
(exkl. moms)
26,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 20,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-264
- Tillv. art.nr:
- SIR5402DP-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 201.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0017Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 92.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Bredd | 5.26mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 201.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0017Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 92.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.12mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Bredd 5.26mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- IL
Vishays N-kanal MOSFET är byggd för högeffektiv strömomvandling och styrning i krävande elektroniska system. Den säkerställer robusta prestanda med omfattande testning, samtidigt som den upprätthåller överensstämmelse med miljöstandarder. Dess mångsidighet gör den idealisk för applikationer som kräver tillförlitlig likriktering, kompakta DC/DC-lösningar och exakt motorstyrning.
Ger 100 % Rg- och UIS-test för beprövad tillförlitlighet
Säkerställer RoHS-överensstämmelse för miljösäkerhet
Levererar halogenfri konstruktion för miljövänlig design
Stöd för synkron likriktelse för effektiv strömomvandling
Möjliggör motorstyrning med tillförlitlig omkopplingsprestanda
Relaterade länkar
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 158 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 101 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -153.2 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 340 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -267 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -136.7 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET