Vishay N Kanal, MOSFET, 28 A 650 V N, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, S
- RS-artikelnummer:
- 878-898
- Tillv. art.nr:
- SIHK135N65S-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 32%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
18,93 kr
(exkl. moms)
23,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 18,93 kr | - |
| 10 - 99 | 12,77 kr | 32% |
| 100 - 499 | 10,75 kr | 43% |
| 500 - 999 | 10,30 kr | 45% |
| 1000 + | 9,97 kr | 47% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 878-898
- Tillv. art.nr:
- SIHK135N65S-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 28A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | S | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.121Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal effektförlust Pd | 278W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 28A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie S | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.121Ω | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal effektförlust Pd 278W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays Power MOSFET är utformad för att effektivt hantera omkoppling och ledning, vilket gör den till en viktig komponent för olika strömförsörjningstillämpningar.
Den senaste generationens SF-serieteknik, säkerställer optimal prestanda
Låg meritfaktor (FOM) för förbättrad energieffektivitet
Avalancheenergiklassad, ger förbättrad tillförlitlighet under påfrestning
Avalanche-energikapacitet med en puls, för krävande tillämpningar
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 32 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12
- Vishay N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N Kanal, MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E Series
- Vishay N Kanal, MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, E Series
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 28 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SiS892ADN
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V, PowerPAK