STMicroelectronics N-kanal MOSFET N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 2.6 A 1500 V MOSFET, 3 Ben, H2PAK-2, STH4N150 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 877-308
- Tillv. art.nr:
- STH4N150-2AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Denna bild representerar endast produktgruppen
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
26 532,00 kr
(exkl. moms)
33 165,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 26,532 kr | 26 532,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 877-308
- Tillv. art.nr:
- STH4N150-2AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1500V | |
| Serie | STH4N150 | |
| Kapseltyp | H2PAK-2 | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10Ω | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 208W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal MOSFET | |
| Längd | 10.4mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Höjd | 15.8mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1500V | ||
Serie STH4N150 | ||
Kapseltyp H2PAK-2 | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10Ω | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 208W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal MOSFET | ||
Längd 10.4mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Höjd 15.8mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET har utvecklats med hjälp av PowerMESH teknik. Denna enhet är utformad för att säkerställa en hög spänningsnivå och robusthet för fordonsmarknaden.
Mycket låg grindladdning
100 % avalanche-testade