STMicroelectronics N-kanal MOSFET N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.6 A 1.5 kV MOSFET, 3 Ben, H2PAK-2, STH4N150 AEC-Q101

Denna bild representerar endast produktgruppen

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

30 509,00 kr

(exkl. moms)

38 136,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 100030,509 kr30 509,00 kr
2000 - 400029,746 kr29 746,00 kr
5000 +28,587 kr28 587,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
877-308
Tillv. art.nr:
STH4N150-2AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.5kV

Serie

STH4N150

Kapseltyp

H2PAK-2

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

10Ω

Kanalläge

MOSFET

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

208W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

35.1nC

Transistorkonfiguration

N-kanal MOSFET

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

15.8mm

Bredd

4.7mm

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET har utvecklats med hjälp av PowerMESH teknik. Denna enhet är utformad för att säkerställa en hög spänningsnivå och robusthet för fordonsmarknaden.

Mycket låg grindladdning

100 % avalanche-testade

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.