ROHM N-kanal Kanal, MOSFET, 12 A 60 V, 7 Ben, DFN2020Y7LSAA AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 10 enheter)*

65,63 kr

(exkl. moms)

82,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 906,563 kr65,63 kr
100 - 4905,777 kr57,77 kr
500 +4,664 kr46,64 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-677
Tillv. art.nr:
RF9L120BLFRATCR
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N-kanal

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

DFN2020Y7LSAA

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

38Ω

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.5nC

Maximal effektförlust Pd

23W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.1mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Höjd

0.65mm

Bredd

2.1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHM Power MOSFET levererar högpresterande N-kanalswitchning för fordonsströmhantering. Denna AEC-Q101-kvalificerade enhet är konstruerad för ADAS- och infotainment-system, vilket säkerställer effektiv drift i krävande fordonsmiljöer.

Drain till källspänning på 60 V

Kontinuerlig avtappningsström på 12 A

35 mOhm typisk påslagningsresistans

Hög effektförlust på 23 W

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.