Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 52 A 25 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 762-927
- Tillv. art.nr:
- IMZC140R038M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
123,87 kr
(exkl. moms)
154,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 224 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 123,87 kr |
| 10 - 99 | 93,97 kr |
| 100 - 479 | 78,18 kr |
| 480 - 1199 | 69,78 kr |
| 1200 + | 65,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-927
- Tillv. art.nr:
- IMZC140R038M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 52A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | TO-247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 38mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 242W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 23.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 52A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp TO-247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 38mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 242W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 23.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 är en MOSFET av kiselkarbid med .XT-anslutningsteknik. Den använder .XT-anslutningsteknik för klassens bästa termiska prestanda och robust kroppsdiod för hård kommutation.
Högtemperaturdrift
Lämplig för hård kommutering
Tillförlitlig värmehantering
Förbättrad prestanda
Bättre effektivitet
Optimerad gate-drivkrets
Lämplig för kraftelektronik
Relaterade länkar
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 26.6 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 74 A 1400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 92 A 25 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 65 A 1400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 112 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 46 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 65 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC