Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 400 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 762-911
- Tillv. art.nr:
- IMLT40R011M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
188,38 kr
(exkl. moms)
235,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 800 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 188,38 kr |
| 10 - 99 | 132,61 kr |
| 100 - 499 | 108,30 kr |
| 500 - 1799 | 104,61 kr |
| 1800 + | 99,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-911
- Tillv. art.nr:
- IMLT40R011M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 144A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Kapseltyp | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 16 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23V | |
| Maximal effektförlust Pd | 429W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 2.35mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 15.2mm | |
| Längd | 10.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 144A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Kapseltyp PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolSiC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 16 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23V | ||
Maximal effektförlust Pd 429W | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 2.35mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 15.2mm | ||
Längd 10.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET är idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktare och har Benchmark gate-tröskelspänning. Dessutom har den XT-anslutningsteknik för bästa termiska prestanda i klassen.
100 % avalanche-testade
Rekommenderad grindstyrningsspänning
Godkänd för industriella tillämpningar
Används för energilagring, UPS och batteridrifttagning
Relaterade länkar
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 74 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 111 A 400 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 68 A 400 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 50 A 400 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 43 A 400 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 107 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC