Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIR5607DP
- RS-artikelnummer:
- 653-196
- Tillv. art.nr:
- SIR5607DP-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
30,80 kr
(exkl. moms)
38,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 952 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 30,80 kr |
| 10 - 24 | 30,02 kr |
| 25 - 99 | 29,46 kr |
| 100 - 499 | 24,86 kr |
| 500 + | 23,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 653-196
- Tillv. art.nr:
- SIR5607DP-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Serie | SIR5607DP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.007Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.26mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Serie SIR5607DP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.007Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.26mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.12mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays P-kanals MOSFET är utformad för effektiv omkoppling i kompakta strömförsörjningssystem. Den stöder upp till 60 V dräneringsspänning och är inrymd i ett PowerPAK SO-8-hus. Den är byggd med TrenchFET Gen V-teknik och har mycket låg RDS(on), vilket minimerar spänningsfall och ledningsförluster.
Blyfri
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIR5607DP
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -101.4 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -136.7 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -267 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -153.2 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -136.7 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 208 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET