Vishay Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, -48.3 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIR4411DP
- RS-artikelnummer:
- 653-194
- Tillv. art.nr:
- SIR4411DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 1 enhet)*
8,74 kr
(exkl. moms)
10,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 965 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 24 | 8,74 kr |
| 25 - 99 | 8,51 kr |
| 100 - 499 | 8,29 kr |
| 500 - 999 | 7,17 kr |
| 1000 + | 6,61 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 653-194
- Tillv. art.nr:
- SIR4411DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -48.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Serie | SIR4411DP | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Typ av fäste | Kretskort | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.011Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 56.8W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.61mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -48.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Serie SIR4411DP | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Typ av fäste Kretskort | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.011Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 56.8W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.61mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel Power MOSFET rated for 40 V drain-source voltage. It features low RDS(on) and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power management. Packaged in a compact PowerPAK SO-8, it's ideal for DC/DC converters, load switching, and battery management in space-constrained designs.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal -48.3 A -40 V Förbättring PowerPAK, SIR4411DP
- Vishay Typ N Kanal 78 A 40 V Förbättring PowerPAK, SIJ4406DP
- Vishay Typ N Kanal 64 A 30 V Förbättring PowerPAK, SIRA14DDP
- Vishay Typ N Kanal 40 A 30 V Förbättring PowerPAK, SIRA18DDP
- Vishay Typ N Kanal 78 A 40 V Förbättring PowerPAK, SIR4406DP
- Vishay Dubbel N Kanal 7.1 A 100 V Förbättring PowerPAK, SIS9122
- Vishay Typ N Kanal 62.8 A 40 V Förbättring PowerPAK, SIS4406DN
- Vishay Typ N Kanal 96 A 30 V Förbättring PowerPAK, SIRA10DDP
