Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 62.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIS4406DN
- RS-artikelnummer:
- 653-146
- Tillv. art.nr:
- SIS4406DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*
15 861,00 kr
(exkl. moms)
19 827,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,287 kr | 15 861,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 653-146
- Tillv. art.nr:
- SIS4406DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 62.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Serie | SIS4406DN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00475Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 33.7W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.41mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 62.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Serie SIS4406DN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00475Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 33.7W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.41mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för högeffektiv omkoppling i kompakta kraftsystem. Den stöder upp till 40 V drain-källspänning. Förpackad i PowerPAK 1212-8, den använder TrenchFET Gen IV-teknik för att leverera låg grindladdning (Qg), minskad utgångsladdning (Qoss) och optimerad omkopplingsprestanda.
Blyfri
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 62.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIS4406DN
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 1.95 A 100 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK, SI3122DV
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.17 A 100 V Förbättring, 3 Ben, PowerPAK, SI2122DS
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 81 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIRA12DDP
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 96 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIRA10DDP
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 172 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SISS5208DN
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 25.7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIR4156LDP
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIS5712DN