Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.2 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SI8818EDB
- RS-artikelnummer:
- 653-091
- Tillv. art.nr:
- SI8818EDB-T2-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet, på ett band med 1)*
2,69 kr
(exkl. moms)
3,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 24 | 2,69 kr |
| 25 - 99 | 2,24 kr |
| 100 - 499 | 2,13 kr |
| 500 - 999 | 1,79 kr |
| 1000 + | 1,57 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 653-091
- Tillv. art.nr:
- SI8818EDB-T2-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Serie | SI8818EDB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.143Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.9W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 0.8mm | |
| Längd | 0.8mm | |
| Höjd | 0.39mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Serie SI8818EDB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.143Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 0.9W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 0.8mm | ||
Längd 0.8mm | ||
Höjd 0.39mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för ultrakompakt, högeffektiv omkoppling i utrymmesbegränsade system. Den stöder upp till 30 V drain-källspänning. Förpackad i MICRO FOOT 0,8 mm x 0,8 mm, använder den TrenchFET-teknik för att leverera låg RDS(on), snabb omkoppling och utmärkt termisk prestanda.
Blyfri
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.2 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SI8818EDB
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 150 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PowerPAK, SUM50010EL
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 1.95 A 100 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK, SI3122DV
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.17 A 100 V Förbättring, 3 Ben, PowerPAK, SI2122DS
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 81 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIRA12DDP
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 62.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIS4406DN
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 96 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIRA10DDP
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 172 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SISS5208DN