Vishay Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs, 123 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJ738EP AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

presentation
Vishay Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs, 123 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJ738EP AEC-Q101
RS-artikelnummer
653-067

1 tejp med 1

24,30 kr

(exkl. moms)

30,38 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:
653-066
Tillv. art.nr:
SQJ738EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Kanaltyp

Dubbel N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

123A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

SQJ738EP

Kapseltyp

PowerPAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

0.00317Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

93W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

56nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
Vishays dubbla N-kanal MOSFET av fordonskvalitet är utformad för högeffektiv omkoppling i krävande miljöer. Den stöder upp till 40 V drain-source-spänning och fungerar tillförlitligt vid kopplingstemperaturer upp till 175 °C. Förpackad i PowerPAK SO-8L, den använder TrenchFET Gen IV-teknik för förbättrad termisk och elektrisk prestanda.

AEC Q101-kvalificerade

Blyfri

Halogenfria

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.