onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 178 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN8, NTT
- RS-artikelnummer:
- 648-510
- Tillv. art.nr:
- NTTFS1D4N04XMTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
78,06 kr
(exkl. moms)
97,575 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 500 enhet(er) levereras från den 06 januari 2027
- Dessutom levereras 1 500 enhet(er) från den 07 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,612 kr | 78,06 kr |
| 50 - 245 | 9,676 kr | 48,38 kr |
| 250 - 495 | 5,622 kr | 28,11 kr |
| 500 + | 5,488 kr | 27,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 648-510
- Tillv. art.nr:
- NTTFS1D4N04XMTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 178A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | WDFN8 | |
| Serie | NTT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.43mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Pb-Free | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 178A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp WDFN8 | ||
Serie NTT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.43mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Pb-Free | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
ON Semiconductors senaste 40 V standard gate-nivå Power MOSFET-teknik med klassens bästa on-resistans för motorstyrningstillämpningar. Lägre påslagningsresistans och mindre grindladdning kan minska ledningsförluster och drivförluster. Bra mjukhetskontroll för omvänd återställning av kroppsdiod kan minska spänningsspikspänning utan extra snubberkrets i applikationer.
Låg RDS(on)
Låg kapacitet
Litet fotavtryck
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 65 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN8, NTT
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 66 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTM
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 384 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFNW-5, NVM
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V N, 8 Ben, WDFN, NTT
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 7.6 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247-3, UF3
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 195 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 233 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 94 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFNW-5, NVM AEC-Q101