onsemi N Kanal, Enkla MOSFETs, 66 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NVM AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 648-508
- Tillv. art.nr:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
109,09 kr
(exkl. moms)
136,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 500 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 10,909 kr | 109,09 kr |
| 100 - 490 | 6,776 kr | 67,76 kr |
| 500 - 990 | 4,077 kr | 40,77 kr |
| 1000 + | 4,032 kr | 40,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 648-508
- Tillv. art.nr:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 66A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | NVM | |
| Kapseltyp | DFN-5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 38W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | |
| Längd | 6mm | |
| Bredd | 5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 66A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie NVM | ||
Kapseltyp DFN-5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 38W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | ||
Längd 6mm | ||
Bredd 5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
ON Semiconductor Automotive Power MOSFET i ett 5 x 6 mm platt ledningspaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Vätbart flankalternativ tillgängligt för förbättrad optisk inspektion. AEC-Q101-kvalificerad MOSFET- och PPAP-kompatibel, lämplig för fordonstillämpningar.
Litet fotavtryck
Låg RDS(on)
Låg QG och kapacitans
Vätbart flankalternativ
AEC-Q101-kvalificerad och PPAP-kompatibel
RoHS-märkt
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 195 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 233 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 94 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 66 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTM
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVM AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 384 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFNW-5, NVM
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTM AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN AEC-Q101