Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 600 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, IPZ
- RS-artikelnummer:
- 349-269
- Tillv. art.nr:
- IPZA60R037CM8XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
104,72 kr
(exkl. moms)
130,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 104,72 kr |
| 10 - 99 | 94,19 kr |
| 100 - 499 | 86,91 kr |
| 500 - 999 | 80,53 kr |
| 1000 + | 72,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-269
- Tillv. art.nr:
- IPZA60R037CM8XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 64A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPZ | |
| Kapseltyp | PG-TO247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 37mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 329W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 79nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPZ | ||
Kapseltyp PG-TO247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 37mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 329W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 79nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS 8th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS CM8 series is the successor to the CoolMOS 7. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g low ringing tendency, implemented fast body diode for all products with outstanding robustness against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses of CM8, make switching applications even more efficient.
Suitable for hard and soft switching topologies
Ease of use and fast design in through low ringing tendency
Simplified thermal management thanks to our advanced die attach technique
Suitable for a wide variety of applications and power ranges
Increased power density solutions enabled by using products with smaller footprint
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 123 A 600 V Förbättring PG-TO247-4, IPZ
- Infineon Typ N Kanal 64 A 650 V Förbättring PG-TO247-4, IMZA65
- Infineon Typ N Kanal 53 A 650 V Förbättring PG-TO247-4, IMZA65
- Infineon Typ N Kanal 89 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 163 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, IMZA75
- Infineon Typ N Kanal 38 A 650 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 83 A 650 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 46 A 650 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC