Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 600 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, IPZ
- RS-artikelnummer:
- 349-269
- Tillv. art.nr:
- IPZA60R037CM8XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 114,20 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
113,68 kr
(exkl. moms)
142,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 113,68 kr | - |
| 10 - 99 | 102,26 kr | 114,20 kr |
| 100 - 499 | 94,53 kr | 1 915,00 kr |
| 500 - 999 | 87,47 kr | 13 105,00 kr |
| 1000 + | 78,40 kr | 35 280,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-269
- Tillv. art.nr:
- IPZA60R037CM8XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 64A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPZ | |
| Kapseltyp | PG-TO247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 37mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 329W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPZ | ||
Kapseltyp PG-TO247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 37mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 329W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineons CoolMOS 8:e generationens plattform är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. 600 V CoolMOS CM8-serien är efterföljaren till CoolMOS 7. Den kombinerar fördelarna med en snabb SJ MOSFET med utmärkt användarvänlighet, t.ex. låg ringningstendens, implementerad snabb kroppsdiod för alla produkter med enastående robusthet mot hård kommutation och utmärkt ESD-kapacitet. Dessutom gör CM8:s extremt låga omkopplings- och ledningsförluster omkopplingstillämpningar ännu mer effektiva.
Lämplig för hårda och mjuka switchande topologier
Enkel användning och snabb design genom låg ringningstendens
Förenklad värmehantering tack vare vår avancerade matrisanslutningsteknik
Lämpliga för en mängd olika tillämpningar och effektområden
Lösningar för ökad effekttäthet möjliggörs genom att använda produkter med mindre fotavtryck
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 123 A 600 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, IPZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, IMZA65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 53 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, IMZA65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 32 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 144 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, IMZA65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC