Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 142 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 349-256
- Tillv. art.nr:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
189,73 kr
(exkl. moms)
237,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 828 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 189,73 kr |
| 10 - 99 | 170,91 kr |
| 100 + | 157,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-256
- Tillv. art.nr:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 142A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPT | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 171nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 694W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 142A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPT | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 171nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 694W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IPT-serien effekt-MOSFET, 600 V drain source-spänning, 142 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPT60R016CM8XTMA1
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för omkopplings- och strömomvandlingsroller i krävande elektroniska system. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och levereras i ett kompakt ytmonterat paket för integrering på befolkade kort där robust termisk och strömhantering krävs.
Funktioner och fördelar:
• 600 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 16 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under tung belastning
• 142 A kontinuerlig ström med stöd för höga strömnivåer
• 171 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grinddrivarövergångar
• Maximal effektförlust på 694 W underlättar termisk marginalplanering
• 30 V gate-tolerans stöder flexibla gate-drivspänningar
• 16 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under tung belastning
• 142 A kontinuerlig ström med stöd för höga strömnivåer
• 171 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grinddrivarövergångar
• Maximal effektförlust på 694 W underlättar termisk marginalplanering
• 30 V gate-tolerans stöder flexibla gate-drivspänningar
Användningsområden
• Lämplig för industriella motorväxelriktare
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används med resonanta och hårdkopplade SMPS-topologier
• Kan användas för drag- och kraftiga DC-DC-system
• Lämplig för strömfördelning och omkoppling på kortnivå
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används med resonanta och hårdkopplade SMPS-topologier
• Kan användas för drag- och kraftiga DC-DC-system
• Lämplig för strömfördelning och omkoppling på kortnivå
Vilket paket och vilken monteringsmetod använder den för kretskortsmontering?
Den levereras i ett PG-HSOF-8-paket avsett för ytmonterad placering för att underlätta automatiserad montering och värmeledning till kortet.
Hur fungerar den i extrema temperaturer?
Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket stöder tillämpningar som utsätts för stora temperaturvariationer.
Vilka gränsspänningsgränser bör observeras under designen?
Gate-source-spänningen får inte överstiga 30 V för att förhindra gate-dielektrisk påfrestning.
Uppfyller den branschstandarder för testning?
Den uppfyller JEDEC-standarderna för halvledarkvalificering och hantering.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 23 A 0.82 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 331 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 169 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 313 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 87 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT