Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 135 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolMOS CM8
- RS-artikelnummer:
- 348-994
- Tillv. art.nr:
- IPDQ60R016CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
223,78 kr
(exkl. moms)
279,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 598 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 223,78 kr |
| 10 - 99 | 201,49 kr |
| 100 + | 185,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-994
- Tillv. art.nr:
- IPDQ60R016CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 135A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | CoolMOS CM8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 22 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 171nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 625W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDECforIndustrialApplications, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 135A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PG-HDSOP-22 | ||
Serie CoolMOS CM8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 22 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 171nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 625W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDECforIndustrialApplications, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolMOS 8th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS CM8 series is the successor to the CoolMOS 7. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g low ringing tendency, implemented fast body diode for all products with outstanding robustness against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses of CM8, make switching applications even more efficient.
Suitable for hard and soft switching topologies
Ease of use and fast design in through low ringing tendency
Simplified thermal management thanks to our advanced die attach technique
Suitable for a wide variety of applications and power ranges
Increased power density solutions enabled by using products with smaller footprint
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 149 A 600 V Förbättring PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 50 A 600 V Förbättring PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS
- Infineon N-kanal Kanal 68 A 400 V Förbättring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal 50 A 400 V Förbättring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal 43 A 400 V Förbättring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal 144 A 400 V Förbättring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal 111 A 400 V Förbättring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal 74 A 650 V Förbättring PG-HDSOP-16, CoolSiC
