Microchip Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 200 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TC6320
- RS-artikelnummer:
- 333-204
- Tillv. art.nr:
- TC6320TG-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 3300 enheter)*
60 317,40 kr
(exkl. moms)
75 398,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Ny produkt − Förbeställ idag
- Leverans från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3300 + | 18,278 kr | 60 317,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 333-204
- Tillv. art.nr:
- TC6320TG-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | TC6320 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie TC6320 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchip MOSFET är högspänning, låg tröskel N-kanal och P-kanal MOSFET i 8-ledar VDFN- och SOIC-paket. Båda MOSFET:erna har integrerade gate-till-källmotstånd och gate-till-käll-zenerdiodklämmor som är önskade för högspänningstillämpningar. Det är ett gratis, höghastighets, högspänning, grindklämd N-kanal och P-kanal MOSFET-par, som använder en avancerad vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av kiselgrind.
Integrerat grind-till-källmotstånd
Integrerad grind till käll-zenerdiod
Lågt tröskelvärde
Låg påslagningsresistans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage
Relaterade länkar
- Microchip 1 P-kanal, N-kanal Kanal Komplementärt par, MOSFET-arrayer, 2 A 200 V Förbättring, 8 Ben, VDFN, TC6320
- Microchip 1 P-kanal, N-kanal Kanal Oberoende N-kanal och P-kanal MOSFET, MOSFET-arrayer, 2.1 A Förbättring, 8 Ben, SOIC,
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- onsemi 2 Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 4.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, FDS
