ROHM N Kanal, MOSFET, 4 A 730 V Förbättring, 4 Ben, SOP-8, BM2PxxB3JF
- RS-artikelnummer:
- 329-142
- Tillv. art.nr:
- BM2P10B3JF-E2
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
58,46 kr
(exkl. moms)
73,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 11,692 kr | 58,46 kr |
| 50 - 95 | 11,088 kr | 55,44 kr |
| 100 - 495 | 10,282 kr | 51,41 kr |
| 500 - 995 | 9,452 kr | 47,26 kr |
| 1000 + | 9,14 kr | 45,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 329-142
- Tillv. art.nr:
- BM2P10B3JF-E2
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 730V | |
| Serie | BM2PxxB3JF | |
| Kapseltyp | SOP-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.63W | |
| Maximal arbetstemperatur | 105°C | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 1.71mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 730V | ||
Serie BM2PxxB3JF | ||
Kapseltyp SOP-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.63W | ||
Maximal arbetstemperatur 105°C | ||
Bredd 6.2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 1.71mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs inbyggda switchande MOSFET PWM-typ DC/DC-omvandlare IC ger det optimala systemet för alla produkter där ett uttag är närvarande. Den är kompatibel med både isolerade och oisolerade, och olika typer av lågströmsomvandlare kan enkelt utformas. Den inbyggda 730 V startkretsen bidrar till låg strömförlust.
10 W uteffekt
Öppningsskydd för SOURCE-stift
SOURCE-stiftfunktion för framkantblankning
Överströmsdetekteringsfunktion per cykel
Soft Start-funktion
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 730 V Förbättring, 4 Ben, SOP-8, BM2PxxB3JF
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 8 Ben, SOP-8, BM2P
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 730 V Förbättring, 7 Ben, DIP-7K, BM2P
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 500 mA 600 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 13.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP