Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36.5 A 950 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-922
- Tillv. art.nr:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 616,82 kr
(exkl. moms)
2 021,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 20 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 53,894 kr | 1 616,82 kr |
| 120 + | 51,203 kr | 1 536,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-922
- Tillv. art.nr:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 950V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 130mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 227W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 950V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 130mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 227W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon MOSFET har en avancerad strömförsörjningsenhet som representerar den senaste innovationen inom super junction-teknik, speciellt utformad för krävande tillämpningar som belysning och industriella strömförsörjningar. Integreringen av ultrasnabba husdioder förbättrar reaktionsförmågan, vilket gör den idealisk för resonanta topologier. Med robust prestanda och överlägsen tillförlitlighet står den här enheten i framkant när det gäller effektivitet inom strömhantering. Särskild uppmärksamhet har ägnats åt att minska omvänd återvinningsladdning, vilket möjliggör högre omkopplingsfrekvenser och ökad effekttäthet i konstruktioner.
Integrerad snabbhusdiod säkerställer tillförlitlighet
Bästa termiska prestanda i klassen för effektiv värmeavledning
Hållbar konstruktion främjar långsiktig stabilitet
Sömlös integration i befintliga kretsar
Optimal för högspänningsanvändningar med förbättrad säkerhet
Det kompakta höljet minskar PCB-avtrycket och ökar flexibiliteten
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36.5 A 950 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 60 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247-3, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 54.9 A 800 V, 3 Ben, PG-TO-247, CoolMOS^TM
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 SJ