ROHM 2 N Kanal Nch + Nch, MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- RS-artikelnummer:
- 264-873P
- Tillv. art.nr:
- HP8KE7TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
855,70 kr
(exkl. moms)
1 069,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 95 | 17,114 kr |
| 100 - 495 | 15,836 kr |
| 500 - 995 | 14,604 kr |
| 1000 + | 14,022 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-873P
- Tillv. art.nr:
- HP8KE7TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HP8K | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 19.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 26W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Nch + Nch | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HP8K | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 19.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 26W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Transistorkonfiguration Nch + Nch | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs effekt-MOSFET har en dubbel N-kanalkonfiguration med en nominell spänning på 100 V och en strömkapacitet på 24 A. Utformad i ett HSOP8-paket och erbjuder låg påslagningsresistans.
Låg på-resistans
Litet ytmonterat paket (HSOP8)
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri