ROHM 2 N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HP8

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

565,60 kr

(exkl. moms)

707,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
100 - 2405,656 kr
250 - 4905,23 kr
500 - 9904,816 kr
1000 +4,637 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-764P
Tillv. art.nr:
HT8KC5TB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

HSMT-8

Serie

HP8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

13W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.1nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

ROHM 60 V 10 A Dual Nch+Pch är en MOSFET med låg påslagningsresistans som är idealisk för omkopplingstillämpningar.

Hög effekt liten formpaket (HSMT8)

Blyfri plätering och RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.