ROHM N Kanal, MOSFET, 24 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, SCT

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

4 625,60 kr

(exkl. moms)

5 782,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 9592,512 kr
100 +85,724 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-592P
Tillv. art.nr:
SCT4062KWATL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-263

Serie

SCT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

124mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

54nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

21V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

3.3V

Maximal effektförlust Pd

93W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHM 1200 V 24 A kiselkarbid SiC trench MOSFET i ett 7-stifts SMD-paket erbjuder högt spänningsmotstånd, låg påslagningsmotstånd och snabb omkopplingshastighet.

Låg på-resistans

Snabb kopplingshastighet

Snabb omvänd återhämtning

Enkel att parallellkoppla

Enkel att driva

Blyfri plätering och RoHS-kompatibel

Brett krypningsavstånd som motsvarar min. 4,7 mm

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.