ROHM N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

542,10 kr

(exkl. moms)

677,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 90 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
100 - 2405,421 kr
250 - 4905,029 kr
500 - 9904,626 kr
1000 +4,446 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-578P
Tillv. art.nr:
RQ3L060BGTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

HSMT-8

Serie

RQ3

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

38mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.5nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

14W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHMs N-kanal 60 V 15,5 A effekt-MOSFET i ett HSMT8-paket har låg påslagningsresistans och en högströmsdesign, vilket gör den idealisk för omkoppling, motorstyrningar och DC- eller DC-omvandlartillämpningar.

Låg på-resistans

Hög effekt, liten formpaket HSMT8

Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS

Halogenfri

100 % Rg- och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.