Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 267 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 1 enhet)*

69,89 kr

(exkl. moms)

87,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 630 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Tejp(er)
Per tejp
1 - 969,89 kr
10 - 9962,94 kr
100 +57,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
219-461
Tillv. art.nr:
PSMN2R0-100SSFJ
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

267A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

LFPAK

Serie

PSM

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

2.07mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

341W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

161nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.6mm

Längd

8mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
Nexperias N-kanal MOSFET är kvalificerad för drift upp till 175 °C och är idealisk för industriella och konsumenttillämpningar. Nyckelapplikationer inkluderar synkron likriktering i AC-DC- och DC-DC-omvandlare, primäromkoppling, BLDC-motorstyrning, full- och halvbro-kretsar och batteribeskydd.

Stark lavinenergibetyg

Avalanche-godkänd och 100 % testad

Ha-fri och i enlighet med RoHS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.