Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 1 enhet)*

70,34 kr

(exkl. moms)

87,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 998 enhet(er), redo att levereras

Tejp(er)
Per tejp
1 - 970,34 kr
10 - 9963,28 kr
100 +58,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
219-459
Tillv. art.nr:
PSMN2R6-100SSFJ
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

PSM

Kapseltyp

LFPAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

2.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

63nC

Maximal effektförlust Pd

341W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

1.6mm

Längd

8mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
Nexperias N-kanal MOSFET är kvalificerad för drift upp till 175 °C och är idealisk för industriella och konsumenttillämpningar. Nyckelapplikationer inkluderar synkron likriktering i AC-DC- och DC-DC-omvandlare, primäromkoppling, BLDC-motorstyrning, full- och halvbro-kretsar och batteribeskydd.

Stark lavinenergibetyg

Avalanche-godkänd och 100 % testad

Ha-fri och i enlighet med RoHS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.