Nexperia N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK, PXN
- RS-artikelnummer:
- 219-417
- Tillv. art.nr:
- PXN040-100QSJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 219-417
- Tillv. art.nr:
- PXN040-100QSJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | MLPAK | |
| Serie | PXN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 21W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp MLPAK | ||
Serie PXN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 21W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Nexperia N-kanal MOSFET levereras i ett MLPAK33-hus. Den är utformad för en mängd olika standardtillämpningar. Nyckelanvändningar inkluderar synkron utjämning på sekundär sida, DC-till-DC-omvandlare, hushållsapparater, motordrivrutiner, belastningsswitching och LED-belysning.
Kompatibilitet med standardnivåer
Trench MOSFET-teknik
Termiskt effektiv förpackning i en liten formfaktor
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK, PXN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V N, 8 Ben, MLPAK, PXN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK, PXN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 17 A 60 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, BUK9M5360E AEC-Q101
- Nexperia 1 N Kanal Enkel, MOSFET Förbättring, 4 Ben, DFN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 330 A 55 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, MOSFETs
- Nexperia N Kanal, MOSFET 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247
- Nexperia N Kanal, MOSFET 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247
