Nexperia N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-413
- Tillv. art.nr:
- PSMN075-100MSEX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 1500 enheter)*
9 066,00 kr
(exkl. moms)
11 332,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 6,044 kr | 9 066,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-413
- Tillv. art.nr:
- PSMN075-100MSEX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 71mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEEE802.3at, RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 71mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEEE802.3at, RoHS | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET är utformad för att stödja nästa generations Power-over-Ethernet-system, som kan leverera upp till 100 W till varje strömförsörjd enhet. Den uppfyller de ökade kraven från tillämpningar som storskärms LCD-displayer, 3G/4G/Wi-Fi hotspots och pan-tilt-zoom CCTV-kameror. Med avancerade funktioner för mjuka startprocedurer, kortslutningsmotståndskraft, termisk hantering och hög effekttäthet säkerställer den pålitlig och effektiv prestanda för strömförsörjningsutrustning i krävande miljöer.
Förbättrat framåtriktat säkert driftsområde för överlägsen linjär drift
Låg Rdson för låga ledningsförluster
Ultratillförlitligt LFPAK33-hus
Mycket låg IDSS
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 61 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 57 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 380 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 66 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 320 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM