Nexperia N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-405
- Tillv. art.nr:
- PSMN040-100MSEX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
9,18 kr
(exkl. moms)
11,48 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,18 kr |
| 10 - 99 | 8,40 kr |
| 100 - 499 | 7,62 kr |
| 500 - 999 | 6,94 kr |
| 1000 + | 6,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-405
- Tillv. art.nr:
- PSMN040-100MSEX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | PSM | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 36.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 91W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEEE802.3at, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie PSM | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 36.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal effektförlust Pd 91W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEEE802.3at, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET är utformad för att möta de ökade kraven på Power-over-Ethernet-system, som nu stöder upp till 90 W för varje strömförsörjd enhet. Den tar itu med kritiska krav för strömförsörjningsutrustning, inklusive funktionalitet för mjukstart, termisk hantering och hög effekttäthet, vilket säkerställer pålitlig och effektiv prestanda i avancerade PoE-lösningar.
Förbättrat framåtriktat säkert driftsområde för överlägsen linjär drift
Låg Rdson för låga ledningsförluster
Ultratillförlitligt LFPAK33-hus för överlägsen termisk och robusthet
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 61 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 57 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 380 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 66 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 320 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM