Nexperia N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-393
- Tillv. art.nr:
- PSMN2R5-40YLBX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1500 enheter, på en rulle med 1500)*
14 103,00 kr
(exkl. moms)
17 628,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 9,402 kr | 14 103,00 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 3000)
21 354,00 kr
(exkl. moms)
26 692,50 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 219-393
- Tillv. art.nr:
- PSMN2R5-40YLBX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | PSM | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 147W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie PSM | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal effektförlust Pd 147W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET använder avancerad TrenchMOS Super junction-teknik. Förpackningen är kvalificerad för 175 °C. Den är utformad för högpresterande effektomkopplingstillämpningar. Nyckeltillämpningar inkluderar automation, robotteknik, DC-till-DC-omvandlare, borstlös DC-motorstyrning, industriell belastningsswitching, eFuse och inrush-hantering.
Låg parasitisk induktion och motstånd
Hög tillförlitlighet, klämklädd och löddämpad, Power SO8-hus
Kan löddas med våg
Supersnabb växling med mjuk återhämtning
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 225 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 160 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM