Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-388
- Tillv. art.nr:
- PSMN2R1-30YLEX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 1500 enheter)*
24 415,50 kr
(exkl. moms)
30 519,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 16,277 kr | 24 415,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-388
- Tillv. art.nr:
- PSMN2R1-30YLEX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | PSM | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.17mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 124W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie PSM | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.17mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal effektförlust Pd 124W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal ASFET i ett LFPAK56-hus är optimerat för låg RDSon och ett starkt säkert driftsområde, vilket gör den idealisk för hot-swap, inrush och linjärt läge. Nyckeltillämpningar inkluderar varmbyte i 12–20 V-system, e-säkerhet, likspänningsswitch, belastningsswitch och batteriskydd.
Kopparclips för låg parasitisk induktion och motstånd
LFPAK-hus med hög tillförlitlighet
Kvalificerad till 175 °C
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 330 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 365 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 275 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 225 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM